Microprocesseur moderne construit à partir de transistors complémentaires à nanotubes de carbone

Khan, H.N., Hounshell, D.A. & Fuchs, E.H.H. La science et la politique de recherche à la fin de la loi de Moore. Nat. Électron. 1, 14-21 (2018).

Shulaker, M. et al. Ordinateur à nanotubes de carbone. La nature 501, 526-530 (2013).

Hills, G. et al. Comprendre les avantages en termes d'efficacité énergétique des transistors à effet de champ en nanotubes de carbone pour les interfaces VLSI numériques. IEEE Trans. NanoTechnol. 17, 1259-1269 (2018).

Franklin, A. et al. Transistor à nanotubes de carbone inférieur à 10 nm. Nano Lett. 12758–762 (2012).

Brady, G.J. et al. Transistors à réseaux de nanotubes de carbone quasi balistiques ayant une densité de courant supérieure à Si et GaAs. Science 2, e1601240 (2016).

Javey, A., Guo, J., Wang, Q., Lundstrom, M. et Dai, H. Transistors à effet de champ à nanotubes de carbone Ballistic. La nature 424654–657 (2003).

Aly, M.M.S. et al. Calcul de données abondantes à haut rendement énergétique: approche N3XT du calcul de données abondantes à haut rendement énergétique. Proc. IEEE 107, 19–48 (2019).

Lee, C.-S., Pop, E., Franklin, A.D., Haensch, W. & Wong, H.-S. P. Modèle de source virtuelle compact pour les FET à nanotubes de carbone dans le régime inférieur à 10 nm – Partie I: Éléments intrinsèques. IEEE Trans. Dispositifs électroniques 62,9 3061-3069 (2015).

Tans, S. J., Verschueren, A. R. M. et Dekker, C. Transistor à température ambiante basé sur un seul nanotube de carbone. La nature 39349-52 (1998).

Patil, N. et al. VMR: élimination des nanotubes de carbone métalliques compatibles VLSI pour les circuits logiques numériques à plusieurs étages en cascade immunisés contre les imperfections utilisant des FET à nanotubes de carbone. Dans IEEE Int. Les appareils électroniques se rencontrent. (IEEE, 2009).

Cao, Q., H. Kim, N. Pimparkar, J. Kulkarni et C. C. Circuits intégrés à couche mince de nanotubes de carbone à moyenne échelle sur des substrats en plastique flexible. La nature 454495–500 (2008).

Shulaker, M., K. Saraswat, H. Wong et Mitra, S. Intégration tridimensionnelle monolithique de FET à nanotubes de carbone avec CMOS en silicium. Dans Symp. VLSI Technology Digest Tech. Bouillie. (IEEE, 2014).

Shulaker, M. et al. Intégration de circuits de nanotubes de carbone jusqu'à des longueurs de canal inférieures à 20 nm. ACS Nano. 8, 3434 à 3443 (2014).

Shulaker, M. et al. Démonstration expérimentale d'une interface de capteur capacitif entièrement numérique construite entièrement à l'aide de FET à nanotubes de carbone. Dans IEEE Int. Circuits à semi-conducteurs Conf. Digest Tech. Bouillie. (IEEE, 2013).

Shulaker, M. et al. Interface capteur-numérique entièrement construite avec des FET à nanotubes de carbone. IEEE J. Circuits à l'état solide. 41(2014).

Ding, L. et al. Circuits intégrés à logique transistors passage-nanotubes de carbone basés sur CMOS. Nat. Commun. 3677 (2012).

Shulaker, M. et al. Élimination efficace des nanotubes de carbone métalliques pour les technologies à grande échelle. Dans IEEE Int. Les appareils électroniques se rencontrent. (IEEE, 2015).

Shulaker, M., Wei, H., Patil, N., Provine, J. et Chen, H. Augmentations linéaires de la densité de nanotubes de carbone par la technique de transfert multiple. Nano Lett. 11, 1881-1886 (2011).

Won, Y. et al. Fermeture à glissière, enchevêtrement et module d'élasticité de films de nanotubes de carbone alignés à paroi unique. Proc. Natl Acad. Sci. Etats-Unis 110, 20426-20430 (2013).

Kang, S.-M. & Leblebici, Y. Circuits intégrés numériques CMOS (Tata McGraw-Hill Education, 2003).

Zhang, Z. et al. Fabrication sans dopage de dispositifs et de circuits CMOS balistiques à base de nanotubes de carbone. Nano Lett. 73603 à 3607 (2007).

Shahrjerdi, D. et al. Transistors à nanotubes de carbone de type n, stables en air et stables en air avec contacts erbium. ACS Nano 78303–8308 (2013).

Ding, L. et al. Transistors à effet de champ à nanotubes de carbone, à paroi unique, haute performance, de type n et à contact Y: mise à l'échelle et comparaison avec des dispositifs à contact de Sc. Nano Lett. 94209 à 4214 (2009).

Xu, J.-L. et al. Dopage électronique efficace et réversible de nanotubes de carbone à paroi unique enrichis en semi-conducteurs à l'aide de décaméthylcobaltocène. Sci. Représentant. 76751 (2017).

Geier, M., L., Moudgil, K., Barlow, S., Marder, S., R. & Hersam, M., C. Dopage de type n contrôlé de transistors à nanotubes de carbone par un dimère d'organorhodium. Nano Lett. 164329–4334 (2016).

Zhang, J., Wang, C., Fu, Y., Che, Y. et Zhou, C. Conversion stable dans l'air de transistors à couche mince de nanotubes de carbone séparés du type p au type n en utilisant le dépôt par couche atomique de -K oxyde et son application dans les circuits logiques CMOS. ACS Nano 53284 à 3292 (2011).

Markov, I. L., Hu, J. & Kim, M.-C. Progrès et défis de la recherche sur le placement VLSI. Proc. IEEE 103, 1985-2003 (2015).

Celio, C., Patterson, D. et Asanovic, K. La machine hors d'usage de Berkeley (BOOM): un processeur RISC-V paramétrable, compétitif, concurrentiel dans le secteur. Rapport technique n ° UCB / EECS-2015-167 (Université de Californie à Berkeley, 2015); .

Patterson, D. 50 ans d’architecture informatique: de la CPU grand système au tpu spécifique au domaine et au jeu d’instructions RISC-V ouvert. Dans IEEE Int. Circuits à semi-conducteurs Conf. (IEEE, 2018).

Lau, C., T. Srimani, Evêque, M. D., Hills, G. & Shulaker, M. M. Dérabilité de type n accordable de nanotubes de carbone par dépôt de couche atomique artificiel HfO_X films. ACS Nano 1210924-10931 (2018).

Brady, G. et al. Transistors à effet de champ à réseau de nanotubes de carbone, triés au polyfluorène, présentant une densité de courant accrue et un rapport marche / arrêt élevé. ACS Nano 811614-11621 (2014).

Wang, J. et al. Cultiver des nanotubes de carbone semi-conducteurs de grande pureté en soumettant à un procédé électrostatique l'hélicité. Nat. Catal. 1326–331 (2018).

Si, J. et al. Préparation évolutive de réseaux de nanotubes de carbone semi-conducteurs à haute densité pour les transistors à effet de champ hautes performances. ACS Nano 12627–634 (2018).

Lin, A., Patil, N., Wei, H., Mitra, S. et Wong, H.-S. P. ACCNT – Méthodologie de conception VLSI à nanotubes de carbone tolérante aux NTC métalliques: concepts et démonstration expérimentale. IEEE Trans. Electron Dev. 562969 à 2978 (2009).

Batude, P. et al. Progrès, défis et opportunités en intégration séquentielle CMOS 3D. Dans IEEE Int. Les appareils électroniques se rencontrent. (IEEE, 2011).

Shulaker, M. et al. Intégration 3D monolithique de la logique et de la mémoire: FET à nanotubes de carbone, RAM résistive et FET au silicium. Dans IEEE Int. Les appareils électroniques se rencontrent. (IEEE, 2014).

Clark, L. T. et al. ASAP7: Kit de conception de processus prédictifs finFET 7 nm. Microélectron. J. 53, 105-115 (2016).

Zhang, J. et al. Corrélation de nanotubes de carbone: opportunité prometteuse d’amélioration du rendement des circuits CNFET. Dans Proc. 47ème Design Autom. Conf. (IEEE, 2010).

Sherazi, S. M. et al. Réduction de la hauteur de la piste pour une cellule standard dont le nœud est inférieur à 5 nm: à quel point pouvez-vous descendre? Dans Cooptimisation de la technologie de conception pour la fabricabilité XII 10588 1058809 (Société internationale d'optique et de photonique, 2018).

Hills, G. et al. Co-optimisation rapide du traitement et de la conception des circuits pour surmonter les variations de nanotubes de carbone. IEEE Trans. Comput.-Aided Des. Intégré. Circuits Syst. 341082-1095 (2015).