Porte à deux qubits entre électrons donneurs de phosphore dans le silicium

[ad_1]

  • 1.

    Kane, B. E. Un ordinateur quantique à spin nucléaire à base de silicium. La nature 393133-137 (1998).

  • 2

    Muhonen, J. T. et al. Stockage d'informations quantiques pendant 30 secondes dans un dispositif nanoélectronique. Nat. Nanotechnol. 9, 986–991 (2014).

  • 3

    Muhonen, J. T. et al. Quantifier la fidélité de la grille quantique de qubits de spin à un seul atome dans le silicium par analyse comparative aléatoire. J. Phys. Condens. Matière 27154205 (2015).

  • 4

    Hill, C.D. et al. Contrôle global et calcul quantique rapide du spin des électrons donneurs à l'état solide. Phys. Rev. B 72045350 (2005).

  • 5

    Loss, D. & DiVincenzo, D. P. Calcul quantique avec points quantiques. Phys. Rev. A 57120-126 (1998).

  • 6

    Veldhorst, M. et al. Une porte logique à deux qubits en silicium. La nature 526410–414 (2015).

  • 7.

    Zajac, D.M. et al. Porte CNOT à commande résonante pour les spins électroniques. Science 359439–442 (2018).

  • 8

    Watson, T. F. et al. Un processeur quantique programmable à deux qubits en silicium. La nature 555633 à 637 (2018).

  • 9

    Brunner, R. et al. Porte à deux qubits combinant une rotation à un spin et un échange de spin interdot dans un double point quantique. Phys. Rev. Lett. 107146801 (2011).

  • dix.

    Huang, W. et al. Critères de fidélité pour les portes à deux qubits en silicium. La nature 569532-536 (2019).

  • 11

    Meunier, T., Calado, V.E. & Vandersypen, L.M. K. Porte à phase contrôlée efficace pour qubits à spin unique dans des boîtes quantiques. Phys. Rev. B 83121403 (2011).

  • 12

    Kalra, R., Laucht, A., Hill, C., D. et Morello, A. Robustes portes à deux qubits pour donneurs en silicium contrôlé par des interactions hyperfines. Phys. Rev. X 4021044 (2014).

  • 13

    Hile, S. J. et al. Réflectométrie radiofréquence et détection de charge d'un donneur placé avec précision dans du silicium. Appl. Phys. Lett. 107, 093504 (2015).

  • 14

    Weber, B. et al. Blocage de spin et échange dans des points quantiques doubles en silicium confinés par Coulomb. Nat. Nanotechnol. 9430–435 (2014).

  • 15

    Yoneda, J. et al. Qubit de points quantiques à la cohérence limitée par un bruit de charge et une fidélité supérieure à 99,9%. Nat. Nanotechnol. 13102-106 (2018).

  • 16

    Dial, O. E. et al. Spectroscopie de bruit de charge utilisant des oscillations à échange cohérent dans un qubit singulet-triplet. Phys. Rev. Lett. 110146804 (2013).

  • 17

    Nowack, K.C. et al. Corrélations uniques et porte à deux qubits de spins à semi-conducteurs. Science 3331269-1272 (2011).

  • 18

    Broome, M.A. et al. Lecture haute fidélité singulet-triplet d'un coup des donneurs placés avec précision dans le silicium. Phys. Rev. Lett. 119046802 (2017).

  • 19

    Broome, M.A. et al. Corrélations de spin à deux électrons dans les donneurs placés avec précision dans le silicium. Nat. Commun. 9980 (2018).

  • 20

    Hsueh, Y.-L. et al. Temps de relaxation spin-réseau de donneurs individuels et de groupes de donneurs dans du silicium. Phys. Rev. Lett. 113246406 (2014).

  • 21

    Koiller, B., Hu, X. et Das Sarma, S. Échange dans une architecture informatique quantique sur silicium. Phys. Rev. Lett. 88027903 (2001).

  • 22

    Wang, Y. et al. Échange hautement paramétrable en qubits donneurs en silicium. npj Quantum Inf. 216008 (2016).

  • 23

    Wang, Y., Chen, C.-Y., Klimeck, G., Simmons, M. Y. et Rahman, R. Caractérisant les qubits de points quantiques Si avec des techniques de résonance de spin. Sci. Représentant. 631830 (2016); corrigendum 6, 38120 (2016).

  • 24

    Watson, T. F., Weber, B., House, M. G., Büch, H. & Simmons, M. Y. Initialisation rapide haute fidélité et lecture d'un spin électronique via le donneur unique D état de charge. Phys. Rev. Lett. 115166806 (2015).

  • 25

    Watson, T. F. et al. Durée de vie du spin des électrons de 30 s dans le silicium, conçue de manière atomique. Sci. Adv. 3, e1602811 (2017).

  • 26

    Politi, A., Cryan, M. J., Rarity, J. G., Yu, S. et O’Brien, J. L. Circuits quantiques à guide d’onde en silice sur silicium. Science 320646–649 (2008).

  • 27

    Abrosimov, N. V. et al. Une nouvelle génération de monocristaux de 28Si enrichis à 99,999% pour la détermination de la constante d’Avogadro. Metrologia 54599–609 (2017).

  • 28

    Throckmorton, R. E., E. Barnes et E. Das Sarma, S. Effets du bruit sur l'environnement sur la fidélité enchevêtrement de spin qubits de semi-conducteurs couplés à un échange Phys. Rev. B 95, 085405 (2017).

  • 29

    Martins, F. et al. Suppression du bruit à l'aide de portes à échange symétrique dans les qubits de spin. Phys. Rev. Lett. 116116801 (2016).

  • 30

    Wang, X. et al. Impulsions composites pour un contrôle universel robuste des qubits de singulet à triplet. Nat. Commun. 3997 (2012).

  • 31.

    Horibe, K., Kodera, T. et Oda, S. Excitation d'électrons induite par contre-action dans un point quantique en silicium avec un capteur de charge à transistor à un électron. Appl. Phys. Lett. 106053119 (2015).

  • 32

    Shamim, S., Weber, B., Thompson, D.W., Simmons, M., Y. et Ghosh, A. Structures à l'échelle atomique à très faible bruit pour les circuits quantiques en silicium. Nano Lett. 165779-5784 (2016).

  • 33

    Keizer, J. G., S. Koelling, Koenraad, P. M. et Simmons, M. Y. Suppression de la ségrégation dans des monocouches de silicium fortement dopées au phosphore. ACS Nano 912537-12541 (2015).

  • 34

    Gorman, S.K. et al. Statistiques de tunneling pour l'analyse de la fidélité de lecture de spin. Phys. Rev. Appl. 8, 034019 (2017).

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